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集成电路微细测量技术-光学测量图像www.w88981.com,优德官方网站




来源:yiyi
时间:2018-9-30 0:35:51

集成电路微细测量技术-光学测量图像www.w88981.com,优德官方网站

    集成电路技术的基础建立在对图形再生和转换过程的控制上。流过集
成电路的电子,只有受到很精确尺寸的通道和“墙’’的控制,才能正常
工作。一旦这些关键尺寸发生很小的偏离,电路就不能正常工作。因此从
本质上来说,微电子科学本身与能否产生预期的图形尺寸密切相关。由于
图形全部是微细的,因此必须使用微细测量技术。超大规模集成电路的尺
寸一般都在亚微米级以下,这时使用光学www.w88981.com,优德官方网站就不能得到正确的结果,
而只有像扫描电子www.w88981.com,优德官方网站(SEM)一类的高能束设备才能实施微米和亚微米图
形的测量。随着图形尺寸的减小,集成电路掩膜和圆片制作工程师面临的
关键问题之一就是如何改善测量技术。
  各种不同类型的设备可以造成对同一套掩膜的不同测量结果,此外不同
操作者也可造成测量的可变性。在同一天里,同一个操作者用同一个测量
设备对同一个掩膜上的同一元素进行多次测量,也可能得劭不同的结果,
这种情况是人人皆知的。可以想象,不同的操作者使用不同的测量设备对
不同的掩膜进行测量将会造成多大的不一致性!
    随着图形尺寸的缩小,越来越需要排除操作者的主观因素,但也不能
把全部问题归咎于操作者,像差、衍射以及其他光学变化都能经过www.w88981.com,优德官方网站
造成空间像的变化。衍射将在铬图形边缘造成明显的花纹,形成线条边缘
由暗到明的过渡,这种类似于光学系统中的爱里斑(它的直径受衍射限制)
的过渡区必须使用光学阈来测量。

    反转刻蚀是指刻蚀光刻胶下的铬和氧化铬;反转刻蚀和常规刻蚀工艺
之间的主要差别是反转刻蚀的亥4蚀功率增加一倍,在大功率的等离子体中
,光刻胶的刻蚀速率迅速增加,刻蚀气体同光刻胶的汽化气体混合成一种
新的混合气体区域,这种混合的等离子体浓度相当高,使刻蚀速率迅速增
加,从而使反转刻蚀获得成功。反转刻蚀现象同光刻胶的种类有密切关系

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